Обзор

Преимущества
-
Высокая термостойкость и высокая выдерживаемая напряжение
Силовые полупроводниковые устройства на основе карбида кремния (SiC) отличаются теоретической максимальной рабочей температурой, превышающей 600 °C, что примерно в четыре раза превышает предел аналогичных устройств на основе кремния (Si), а также десятикратным увеличением номинального напряжения блокировки. Такие превосходные свойства обеспечивают надежную работу в более суровых и экстремальных условиях эксплуатации.
-
Компактные размеры и легкая конструкция
Благодаря превосходной теплопроводности и плотности мощности компоненты на основе SiC позволяют оптимизировать общую архитектуру систем охлаждения. Такая оптимизация способствует миниатюризации оборудования и снижению его веса, а также уменьшению общей занимаемой площади готовых машин.
-
Низкие потери мощности и возможность работы на высоких частотах
Устройства на основе SiC поддерживают рабочие частоты, в 10 раз превышающие частоты традиционных кремниевых аналогов, без ущерба для КПД преобразования, что позволяет сократить потери мощности примерно на 50%. Повышенная рабочая частота также позволяет уменьшить размеры пассивных периферийных компонентов, включая индукторы и высокочастотные трансформаторы, что эффективно сокращает габариты системы и затраты на закупку вспомогательных компонентов.