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Rendimiento a altas temperaturas y alta tensión de resistencia
Los dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) presentan una temperatura máxima de funcionamiento teórica superior a los 600 °C, aproximadamente cuatro veces el límite de sus homólogos equivalentes de silicio (Si), además de una mejora de diez veces en la tensión de bloqueo nominal. Estas propiedades superiores permiten un funcionamiento fiable en condiciones de trabajo extremas y más adversas.
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Tamaño compacto y diseño ligero
Gracias a su excelente conductividad térmica y densidad de potencia, los componentes de SiC contribuyen a optimizar las arquitecturas de refrigeración en su conjunto. Esta optimización facilita la miniaturización de los equipos y la reducción de su peso, al tiempo que reduce el espacio total que ocupan las máquinas terminadas.
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Baja pérdida de potencia y capacidad de alta frecuencia
Los dispositivos de SiC admiten frecuencias de funcionamiento hasta 10 veces superiores a las de las alternativas convencionales de silicio sin sacrificar la eficiencia de conversión, lo que reduce las pérdidas de potencia en aproximadamente un 50%. La mayor frecuencia de funcionamiento también permite reducir el tamaño de los componentes periféricos pasivos, como los inductores y los transformadores de alta frecuencia, lo que reduce de forma efectiva el volumen del sistema y los costes de adquisición de los componentes auxiliares.