Visão geral

Vantagens
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Desempenho em altas temperaturas e alta tensão de resistência
Os dispositivos de potência de carboneto de silício (SiC) apresentam uma temperatura máxima de funcionamento teórica superior a 600 °C, cerca de quatro vezes o limite dos seus equivalentes em silício (Si), a par de uma melhoria de dez vezes na tensão nominal de bloqueio. Estas propriedades superiores permitem um funcionamento fiável em condições de trabalho extremas e mais adversas.
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Tamanho compacto e design leve
Com uma condutividade térmica e uma densidade de potência superiores, os componentes de SiC ajudam a otimizar as arquiteturas globais de refrigeração. Esta otimização facilita a miniaturização do equipamento e a redução do peso, ao mesmo tempo que diminui a pegada global das máquinas acabadas.
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Baixa perda de potência e capacidade de alta frequência
Os dispositivos SiC suportam frequências de funcionamento até 10 vezes superiores às das alternativas convencionais em silício, sem sacrificar a eficiência de conversão, reduzindo as perdas de potência em aproximadamente 50%. A frequência de funcionamento elevada permite também reduzir o tamanho dos componentes periféricos passivos, incluindo indutores e transformadores de alta frequência, diminuindo efetivamente o volume do sistema e os custos de aquisição de componentes auxiliares.