Présentation générale

Le Soudage à haute fréquence La machine utilise une topologie de conversion de fréquence CA-CC-CA éprouvée. L'unité de redressement est constituée d'un circuit redresseur à thyristors triphasé en pont complet à commande de phase, et un filtre LC composé d'inductances et de condensateurs est installé sur le bus CC afin de répondre aux exigences de fonctionnement du onduleur à source de tension.
L'onduleur à source de tension est conçu selon une structure modulaire en parallèle afin de permettre une puissance de sortie évolutive. Chaque module d'onduleur comprend un circuit en pont complet monophasé à MOSFET, relié à un circuit résonnant en série par l'intermédiaire d'un transformateur d'adaptation haute fréquence. Le transformateur d'adaptation remplit deux fonctions essentielles : combiner la puissance de sortie et optimiser l'adaptation d'impédance, tout en assurant une isolation galvanique entre l'alimentation et la charge de soudage. Un circuit dédié de protection contre les surintensités, à haute stabilité, est intégré pour réagir rapidement aux défauts de surintensité, garantissant ainsi un fonctionnement stable et sûr de l'onduleur.
Nos atouts
Haute température et haute tension de tenue
Les dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) présentent une température maximale de fonctionnement théorique supérieure à 600 °C, soit environ quatre fois celle des dispositifs équivalents en silicium (Si), ainsi qu’une tension de blocage 10 fois supérieure. Ces caractéristiques exceptionnelles leur permettent de fonctionner de manière stable dans des conditions d’exploitation extrêmes.
Conception miniaturisée et légère
Grâce à leur excellente conductivité thermique et à leur forte densité de puissance, les composants en SiC simplifient la conception des systèmes de dissipation thermique. Cela permet de concevoir des équipements compacts et légers, et réduit efficacement l'encombrement global de la machine.
Faibles pertes de puissance et performances supérieures à haute fréquence
Les dispositifs au SiC peuvent fonctionner à des fréquences dix fois supérieures à celles des dispositifs traditionnels à base de silicium, sans perte de rendement de conversion, ce qui réduit les pertes de puissance de près de 50%. De plus, cette fréquence de fonctionnement plus élevée permet de réduire les dimensions physiques des composants passifs périphériques, tels que les inductances et les transformateurs, ce qui diminue le volume global du système et les coûts d'approvisionnement en composants.