Resumen

El High Frequency Welding Machine adopts a mature AC-DC-AC frequency conversion topology. The rectifier unit is configured with a three-phase full-bridge thyristor phase-controlled rectifier circuit, and an LC filter composed of inductors and capacitors is fitted on the DC bus to meet the operational requirements of the voltage-source inverter.
El inversor de fuente de tensión está construido con una estructura modular en paralelo para permitir una potencia de salida ampliable. Cada módulo inversor consta de un circuito de puente completo monofásico con MOSFET conectado a un circuito resonante en serie a través de un transformador de adaptación de alta frecuencia. El transformador de adaptación cumple dos funciones principales: combinar la potencia de salida y optimizar la adaptación de impedancia, así como proporcionar aislamiento galvánico entre la fuente de alimentación y la carga de soldadura. Se ha integrado un circuito de protección contra sobrecorriente de alta estabilidad específico para responder rápidamente a fallos de sobrecorriente, lo que garantiza un funcionamiento estable y seguro del inversor.
Nuestras ventajas
Alta temperatura y alta tensión de resistencia
Los dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) tienen una temperatura máxima de funcionamiento teórica superior a los 600 °C, aproximadamente cuatro veces mayor que la de los dispositivos equivalentes de silicio (Si), y una capacidad de tensión de bloqueo diez veces superior. Estas características excepcionales permiten un funcionamiento estable en entornos operativos extremadamente adversos.
Diseño miniaturizado y ligero
Gracias a su excelente conductividad térmica y a su elevada densidad de potencia, los componentes de SiC simplifican el diseño de los sistemas de disipación de calor. Esto permite diseñar equipos compactos y ligeros, y reduce de forma efectiva el espacio que ocupa la máquina en su conjunto.
Baja pérdida de potencia y rendimiento superior en alta frecuencia
Los dispositivos de SiC pueden funcionar a frecuencias diez veces superiores a las de los dispositivos tradicionales basados en silicio sin que se reduzca la eficiencia de conversión, lo que reduce las pérdidas de potencia en casi un 50%. Además, una mayor frecuencia de funcionamiento reduce las dimensiones físicas de los componentes pasivos periféricos, como los inductores y los transformadores, lo que disminuye el volumen total del sistema y los gastos de adquisición de componentes.