Visão geral

O máquina de soldadura por indução de alta frequência de estado sólido adota uma topologia madura de conversão de frequência CA-CC-CA. A unidade retificadora está configurada com um circuito retificador trifásico de ponte completa com tiristores controlados por fase, e um filtro LC composto por indutores e condensadores está instalado no barramento CC para satisfazer os requisitos operacionais do inversor de fonte de tensão.
O inversor de fonte de tensão é construído com uma estrutura modular em paralelo para permitir uma potência de saída expansível. Cada módulo do inversor é composto por um circuito de ponte completa monofásica com MOSFET, ligado a um circuito ressonante em série através de um transformador de adaptação de alta frequência. O transformador de adaptação cumpre duas funções essenciais: combinar a potência de saída e otimizar a adaptação de impedância, bem como proporcionar isolamento galvânico entre a fonte de alimentação e a carga de soldadura. Está incorporado um circuito dedicado de proteção contra sobrecorrente de elevada estabilidade para responder rapidamente a falhas de sobrecorrente, garantindo um funcionamento estável e seguro do inversor.
As nossas vantagens
Alta temperatura e alta tensão de resistência
Os dispositivos de potência de carboneto de silício (SiC) têm uma temperatura máxima de funcionamento teórica superior a 600 °C, cerca de quatro vezes superior à dos dispositivos equivalentes de silício (Si), com uma capacidade de tensão de bloqueio 10 vezes superior. Estas características excecionais permitem um funcionamento estável em ambientes operacionais extremos e severos.
Construção miniaturizada e leve
Graças à sua excelente condutividade térmica e elevada densidade de potência, os componentes de SiC simplificam a conceção de sistemas de dissipação de calor. Isto permite a conceção de equipamentos compactos e leves e reduz eficazmente a pegada global da máquina.
Baixa perda de potência e desempenho superior em altas frequências
Os dispositivos SiC podem funcionar a frequências operacionais dez vezes superiores às dos dispositivos tradicionais à base de silício, sem qualquer perda de eficiência de conversão, reduzindo a perda de potência em quase 50%. Além disso, uma frequência operacional mais elevada reduz as dimensões físicas dos componentes passivos periféricos, tais como indutores e transformadores, diminuindo o volume global do sistema e as despesas com a aquisição de componentes.